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1+: $ | 1.23 |
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10+: $ | 1.21 |
100+: $ | 1.18 |
500+: $ | 1.16 |
1000+: $ | 1.13 |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Series | - |
Packaging | Bulkxa0 |
Part Status | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Current - Collector (Ic) (Max) | 800mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 120V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 100mA, 5V |
Power - Max | 900mW |
Frequency - Transition | 120MHz |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Mounting Type | Through Hole |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
Supplier Device Package | TO-92MOD |
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