FCP190N60E

FCP190N60E

$1.93


代理品牌 :
描述 :
MOSFET N-CH 600V TO220-3
数量 :
63918

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10+: $ 1.89
100+: $ 1.85
500+: $ 1.82
1000+: $ 1.78
ManufacturerON Semiconductor
Series
PackagingTubexa0
Part StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs190 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs82nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3175pF @ 25V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)208W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageTO-220-3
Package / CaseTO-220-3

原装ON Semiconductor品牌的元器件FCP190N60E 。库存足,发货快,天高电子网支持在线订购、BOM报价,并支持多种付款方式。注册成为我们的会员,还能得到更多的优惠。欢迎广大客户在我们网站给我们留言,或者给我们发邮件!

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