SIRA10DP-T1-GE3

SIRA10DP-T1-GE3

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描述 :
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
数量 :
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ManufacturerVishay Siliconix
Series
PackagingCut Tape (CT)xa0
Part StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.7 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs51nC @ 10V
Vgs (Max)+20V, -16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2425pF @ 15V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)5W (Ta), 40W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackagePowerPAK® SO-8
Package / CasePowerPAK® SO-8

原装Vishay Siliconix品牌的元器件SIRA10DP-T1-GE3 。库存足,发货快,天高电子网支持在线订购、BOM报价,并支持多种付款方式。注册成为我们的会员,还能得到更多的优惠。欢迎广大客户在我们网站给我们留言,或者给我们发邮件!

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