STB33N60DM2

STB33N60DM2

$3.84


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描述 :
MOSFET N-CH 600V 24A
数量 :
42108

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100+: $ 3.69
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ManufacturerSTMicroelectronics
Series
PackagingCut Tape (CT)xa0
Part StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C24A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs130 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs43nC @ 10V
Vgs (Max)±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1870pF @ 100V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)190W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageD2PAK
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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