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1+: $ | 2.38 |
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10+: $ | 2.33 |
100+: $ | 2.29 |
500+: $ | 2.24 |
1000+: $ | 2.20 |
Manufacturer | Infineon Technologies |
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Series | |
Packaging | Tubexa0 |
Part Status | Obsolete |
FET Type | P-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 340µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 234nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±16V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 15000pF @ 25V |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type | Through Hole |
Supplier Device Package | PG-TO262-3-1 |
Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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