IPAN65R650CEXKSA1

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描述 :
MOSFET NCH 650V 10.1A TO220-3
数量 :
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ManufacturerInfineon Technologies
Series
PackagingTubexa0
Part StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs650 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 210µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds440pF @ 100V
FET FeatureSuper Junction
Power Dissipation (Max)28W (Tc)
Operating Temperature-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackagePG-TO220 Full Pack
Package / CaseTO-220-3 Full Pack

原装Infineon Technologies品牌的元器件IPAN65R650CEXKSA1 。库存足,发货快,天高电子网支持在线订购、BOM报价,并支持多种付款方式。注册成为我们的会员,还能得到更多的优惠。欢迎广大客户在我们网站给我们留言,或者给我们发邮件!

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