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1000+: $ | 0.14 |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Series | |
Packaging | Tape & Reel (TR)xa0 |
Part Status | Active |
FET Type | P-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 4A, 4.5V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37.6nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±6V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2700pF @ 10V |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Supplier Device Package | 6-UDFNB (2x2) |
Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
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