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1+: $ | 3.78 |
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10+: $ | 3.70 |
100+: $ | 3.63 |
500+: $ | 3.56 |
1000+: $ | 3.49 |
Manufacturer | Microsemi Corporation |
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Series | |
Packaging | Tubexa0 |
Part Status | Active |
FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 97A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41 mOhm @ 48.5A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 2.96mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 300nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7650pF @ 25V |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 862W (Tc) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-264 [L] |
Package / Case | TO-264-3, TO-264AA |
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